Alliance Semiconductor Corporation, созданная еще в 1985 году, разрабатывает, изготавливает и поставляет приборы памяти для таких активно развивающихся и требующих высокопроизводительной памяти секторов рынка, как:
Основной объем производства приборов памяти составляет производство синхронных и асинхронных SRAM емкостью до 8 Мбит и с тактовыми частотами до 166 МГц, в том числе и с малым напряжением питания и малым потреблением, и синхронных DRAM емкостью до 64 Мбит (а также FP и EDO DRAM).
Активно развивается производство Flash-памяти, в котором главный акцент сделан на разработку и производство низковольтных высокопроизводительных приборов с малым потреблением, емкостью до 16 Мбит.
Еще одним важным аспектом в производстве памяти является технология встраиваемой памяти, ориентированной на рынки вычислительной техники, телекоммуникации и массовой памяти. В настоящее время на основе технологии встраиваемой памяти фирмой Alliance разработаны приборы, объединяющие логику и Flash-память, логику и DRAM, и логику и SRAM (примером могут служить сетевые сопроцессоры).
Основной технологией производства является CMOS-технология с топологическими нормами 0,35 и 0,25 мкм, однако в ближайших планах — переход на топологию 0,18 мкм. В производстве приборов фирмы Alliance участвуют предприятия фирм Chartered Semiconductor Manufacturing (Singapore), United Microelectronics Corp. (Taiwan), Rohm и NFI(Japan), Tower Semiconductor и даже National Semiconductor.
